BJT ve FET Arasındaki Fark

BJT vs FET

Hem BJT (Bipolar Kavşak Transistörü) hem de FET (Alan Etkili Transistör) iki tip transistördür. Transistör, küçük giriş sinyallerindeki küçük değişiklikler için büyük ölçüde değişen bir elektrik çıkış sinyali veren elektronik bir yarı iletken cihazdır. Bu kaliteye bağlı olarak, cihaz bir amplifikatör veya bir anahtar olarak kullanılabilir. Transistör 1950'lerde piyasaya sürüldü ve BT'nin gelişimine katkısı göz önüne alındığında 20. yüzyılda en önemli buluşlardan biri olarak düşünülebilir. Transistör için farklı mimariler test edilmiştir.

Bipolar Kavşak Transistörü (BJT)

BJT iki PN ekleminden oluşur (p tipi yarı iletken ve n tipi yarı iletken bağlayarak yapılan bir bağlantı). Bu iki bağlantı, üç yarı iletken parçanın P-N-P veya N-P-N sırasıyla bağlanmasıyla oluşturulur. PNP ve NPN olarak bilinen iki tip BJT mevcuttur.

Bu üç yarı iletken parçaya üç elektrot bağlanır ve orta elektrot 'taban' olarak adlandırılır. Diğer iki kavşak ise 'yayıcı' ve 'toplayıcı'.

BJT'de, büyük kollektör yayıcı (Ic) akımı küçük baz yayıcı akımı (IB) tarafından kontrol edilir ve bu özellik amplifikatörler veya anahtarlar tasarlamak için kullanılır. Orada akımla çalışan bir cihaz olarak düşünülebilir. BJT çoğunlukla amplifikatör devrelerinde kullanılır.

Alan Etkili Transistör (FET)

FET, 'Gate', 'Source' ve 'Drain' olarak bilinen üç terminalden oluşur. Burada drenaj akımı geçit voltajı tarafından kontrol edilir. Bu nedenle, FET'ler voltaj kontrollü cihazlardır.

Kaynak ve tahliye için kullanılan yarı iletken tipine bağlı olarak (FET'te her ikisi de aynı yarı iletken tipinden yapılır), bir FET bir N kanalı veya P kanalı cihazı olabilir. Akım akışını boşaltmak için kaynak, kapıya uygun bir voltaj uygulanarak kanal genişliğinin ayarlanmasıyla kontrol edilir. Ayrıca, incelme ve geliştirme olarak bilinen kanal genişliğini kontrol etmenin iki yolu vardır. Bu nedenle FET'ler, N kanalı veya P kanalı gibi dört farklı tipte mevcuttur;.

MOSFET (Metal Oksit Yarıiletken FET), HEMT (Yüksek Elektron Hareketlilik Transistörü) ve IGBT (Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistörü) gibi birçok FET türü vardır. Nanoteknolojinin gelişmesiyle ortaya çıkan CNTFET (Karbon Nanotüp FET), FET ailesinin son üyesidir.