BJT ve IGBT Arasındaki Fark

BJT ve IGBT

BJT (Bipolar Kavşak Transistörü) ve IGBT (Yalıtımlı Geçit Bipolar Transistörü) akımları kontrol etmek için kullanılan iki tip transistördür. Her iki cihaz da PN bağlantılarına sahiptir ve cihaz yapısında farklıdır. Her ikisi de transistör olmasına rağmen, özelliklerinde önemli farklılıklar vardır.

BJT (Bipolar Kavşak Transistörü)

BJT, iki PN ekleminden (p tipi yarı iletken ve n tipi yarı iletken bağlayarak yapılan bir bağlantı) oluşan bir transistör türüdür. Bu iki bağlantı, üç yarı iletken parçanın P-N-P veya N-P-N sırasıyla bağlanmasıyla oluşturulur. Bu nedenle, PNP ve NPN olarak bilinen iki tip BJT mevcuttur.

Bu üç yarı iletken parçaya üç elektrot bağlanır ve orta elektrot 'taban' olarak adlandırılır. Diğer iki kavşak ise 'yayıcı' ve 'toplayıcı'.

BJT'de büyük toplayıcı yayıcı (I_cakım küçük baz yayıcı akımı (I_B) ve bu özellik amplifikatörler veya anahtarlar tasarlamak için kullanılır. Bu nedenle, akımla çalışan bir cihaz olarak düşünülebilir. BJT çoğunlukla amplifikatör devrelerinde kullanılır.

IGBT (Yalıtımlı Kapı İki Kutuplu Transistörü)

IGBT, 'Verici', 'Toplayıcı' ve 'Kapı' olarak bilinen üç terminale sahip yarı iletken bir cihazdır. Daha yüksek miktarda güçle başa çıkabilen ve daha yüksek anahtarlama hızına sahip, yüksek verimli hale getiren bir transistör türüdür. IGBT 1980'lerde pazara sunuldu.

IGBT, hem MOSFET hem de bipolar bağlantı transistörünün (BJT) birleşik özelliklerine sahiptir. MOSFET gibi kapı tahriklidir ve BJT'ler gibi akım voltajı özelliklerine sahiptir. Bu nedenle hem yüksek akım taşıma kapasitesi hem de kontrol kolaylığı avantajlarına sahiptir. IGBT modülleri (birkaç cihazdan oluşur) kilowatt güç kullanır.