IGBT ve GTO Arasındaki Fark

IGBT ve GTO Karşılaştırması

GTO (Kapı Kapatma Tristörü) ve IGBT (Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistörü), üç terminalli iki tür yarı iletken cihazdır. Her ikisi de akımları kontrol etmek ve anahtarlama amaçları için kullanılır. Her iki cihaz da 'gate' adı verilen bir kontrol terminaline sahiptir, ancak farklı çalışma prensiplerine sahiptir.

GTO (Kapı Kapama Tristörü)

GTO, dört P tipi ve N tipi yarı iletken katmandan oluşur ve cihaz yapısı normal bir tristöre göre biraz farklıdır. Analizde GTO, normal tristörler için olduğu gibi bir çift transistör çifti (biri PNP ve diğeri NPN konfigürasyonunda) olarak kabul edilir. GTO'nun üç terminaline 'anot', 'katot' ve 'kapı' denir.

Operasyonda, tristör kapıya bir darbe verildiğinde iletkenlik yapar. 'Ters engelleme modu', 'ileri engelleme modu' ve 'ileri iletim modu' olarak bilinen üç çalışma moduna sahiptir. Kapı darbe ile tetiklendiğinde, tristör 'ileri iletken moda' gider ve ileri akım 'tutma akımı' eşiğinden daha az olana kadar iletken olmaya devam eder.

Normal tristörlerin özelliklerine ek olarak, GTO'nun 'kapalı' durumu da negatif darbelerle kontrol edilebilir. Normal tristörlerde 'kapalı' işlevi otomatik olarak gerçekleşir.

GTO'lar güç cihazlarıdır ve çoğunlukla alternatif akım uygulamalarında kullanılır.

Yalıtımlı Kapı İki Kutuplu Transistörü (IGBT)

IGBT, 'Verici', 'Toplayıcı' ve 'Kapı' olarak bilinen üç terminale sahip yarı iletken bir cihazdır. Daha yüksek miktarda güçle başa çıkabilen ve daha yüksek anahtarlama hızına sahip, yüksek verimli hale getiren bir transistör türüdür. IGBT 1980'lerde pazara sunuldu.

IGBT, hem MOSFET hem de bipolar bağlantı transistörünün (BJT) birleşik özelliklerine sahiptir. MOSFET gibi kapı tahriklidir ve BJT'ler gibi akım voltajı özelliklerine sahiptir. Bu nedenle hem yüksek akım taşıma kapasitesi hem de kontrol kolaylığı avantajlarına sahiptir. IGBT modülleri (birkaç cihazdan oluşur) kilowatt güç kullanır.