IGBT ve Tristör Arasındaki Fark

IGBT ve Tristör

Tristör ve IGBT (Yalıtımlı Geçit Bipolar Transistör) üç terminalli iki tip yarı iletken cihazdır ve her ikisi de akımları kontrol etmek için kullanılır. Her iki cihaz da 'gate' adı verilen bir kontrol terminaline sahiptir, ancak farklı çalışma prensiplerine sahiptir.

Tristör

Tristör dört alternatif yarı iletken katmandan (P-N-P-N formunda) oluşur, bu nedenle üç PN ekleminden oluşur. Analizde, bu sıkıca bağlanmış bir çift transistör olarak kabul edilir (bir PNP ve diğeri NPN konfigürasyonunda). En dıştaki P ve N tipi yarı iletken katmanlara sırasıyla anot ve katot denir. İç P tipi yarı iletken katmana bağlı elektrot 'kapı' olarak bilinir.

Operasyonda, tristör kapıya bir darbe verildiğinde iletkenlik yapar. 'Ters engelleme modu', 'ileri engelleme modu' ve 'ileri iletim modu' olarak bilinen üç çalışma moduna sahiptir. Kapı darbe ile tetiklendiğinde, tristör 'ileri iletken moda' gider ve ileri akım 'tutma akımı' eşiğinden daha az olana kadar iletken olmaya devam eder.

Tristörler güç cihazlarıdır ve çoğu zaman yüksek akımların ve voltajların dahil olduğu uygulamalarda kullanılırlar. En çok kullanılan tristör uygulaması alternatif akımları kontrol etmektir.

Yalıtımlı Kapı İki Kutuplu Transistörü (IGBT)

IGBT, 'Verici', 'Toplayıcı' ve 'Kapı' olarak bilinen üç terminale sahip yarı iletken bir cihazdır. Daha yüksek miktarda güçle başa çıkabilen ve daha yüksek anahtarlama hızına sahip, yüksek verimli hale getiren bir transistör türüdür. IGBT 1980'lerde pazara sunuldu.

IGBT, hem MOSFET hem de bipolar bağlantı transistörünün (BJT) birleşik özelliklerine sahiptir. MOSFET gibi kapı tahriklidir ve BJT'ler gibi akım voltajı özelliklerine sahiptir. Bu nedenle, hem yüksek akım taşıma kapasitesi hem de kontrol kolaylığı avantajlarına sahiptir. IGBT modülleri (birkaç cihazdan oluşur) kilowatt güç kullanır.