MOSFET ve BJT Arasındaki Fark

MOSFET vs BJT

Transistör, küçük giriş sinyallerindeki küçük değişiklikler için büyük ölçüde değişen bir elektrik çıkış sinyali veren elektronik bir yarı iletken cihazdır. Bu kaliteye bağlı olarak, cihaz bir amplifikatör veya bir anahtar olarak kullanılabilir. Transistör 1950'lerde piyasaya sürüldü ve IT'ye katkısı düşünülerek 20. yüzyılda en önemli buluşlardan biri olarak düşünülebilir. Hızla gelişen bir cihazdır ve birçok transistör türü tanıtılmıştır. Bipolar Kavşak Transistörü (BJT) ilk tip ve Metal Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistör (MOSFET) daha sonra tanıtılan bir başka transistör tipidir.

Bipolar Kavşak Transistörü (BJT)

BJT iki PN ekleminden oluşur (p tipi yarı iletken ve n tipi yarı iletken bağlayarak yapılan bir bağlantı). Bu iki bağlantı, üç yarı iletken parçanın P-N-P veya N-P-N sırasıyla bağlanmasıyla oluşturulur. Bu nedenle, PNP ve NPN olarak bilinen iki tip BJT mevcuttur.

Bu üç yarı iletken parçaya üç elektrot bağlanır ve orta elektrot 'taban' olarak adlandırılır. Diğer iki kavşak ise 'yayıcı' ve 'toplayıcı'.

BJT'de, büyük kollektör yayıcı (Ic) akımı küçük baz yayıcı akımı (IB) tarafından kontrol edilir ve bu özellik amplifikatörler veya anahtarlar tasarlamak için kullanılır. Bu nedenle akımla çalışan bir cihaz olarak düşünülebilir. BJT çoğunlukla amplifikatör devrelerinde kullanılır.

Metal Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistör (MOSFET)

MOSFET, 'Gate', 'Source' ve 'Drain' olarak bilinen üç terminalden oluşan bir tür Field Effect Transistor'dur (FET). Burada, drenaj akımı geçit voltajı tarafından kontrol edilir. Bu nedenle, MOSFET'ler voltaj kontrollü cihazlardır.

MOSFET'ler, n kanalı veya p kanalı gibi dört farklı tipte mevcuttur; bunlar tükenme veya geliştirme modundadır. Drenaj ve kaynak n kanallı MOSFET'ler için ve benzer şekilde p kanallı cihazlar için n tipi yarı iletkenden yapılır. Kapı metalden yapılmış ve bir metal oksit kullanılarak kaynak ve drenajdan ayrılmıştır. Bu yalıtım düşük güç tüketimine neden olur ve MOSFET'te bir avantajdır. Bu nedenle MOSFET, p ve n kanallı MOSFET'lerin güç tüketimini en aza indirmek için yapı taşları olarak kullanıldığı dijital CMOS mantığında kullanılır.

MOSFET kavramı çok erken bir tarihte önerilmiş olmasına rağmen (1925'te), 1959'da Bell laboratuvarlarında pratik olarak uygulandı.